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CSD22206WT

CSD22206WT

MOSFET P-CHANNEL 8V 5A 9-DSBGA
Número de pieza
CSD22206WT
Fabricante/Marca
Serie
NexFET™
Estado de la pieza
Active
embalaje
Digi-Reel®
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
9-UFBGA, DSBGA
Paquete de dispositivo del proveedor
9-DSBGA (1.5x1.5)
Disipación de energía (máx.)
1.7W (Ta)
Tipo FET
P-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
8V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
5A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
5.7 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1.05V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
14.6nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
2275pF @ 4V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
2.5V, 4.5V
Vgs (máx.)
-6V
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