Comprar Texas Instruments CSD25213W10 MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA

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Hojas de datos

CSD25213W10

MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA

Número de pieza

CSD25213W10

Fabricante/Marca

Texas Instruments

Serie

NexFET™

Estado de la pieza

Active

embalaje

Digi-Reel®

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

4-UFBGA, DSBGA

Paquete de dispositivo del proveedor

4-DSBGA (1x1)

Disipación de energía (máx.)

1W (Ta)

Tipo FET

P-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

20V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

1.6A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

47 mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

1.1V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

2.9nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

478pF @ 10V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

2.5V, 4.5V

Vgs (máx.)

-6V

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