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CSD25304W1015T

CSD25304W1015T

MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
Número de pieza
CSD25304W1015T
Fabricante/Marca
Serie
NexFET™
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
6-UFBGA, DSBGA
Paquete de dispositivo del proveedor
6-DSBGA
Disipación de energía (máx.)
750mW (Ta)
Tipo FET
P-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
3A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
32.5 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1.15V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
4.4nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
595pF @ 10V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
1.8V, 4.5V
Vgs (máx.)
±8V
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