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CSD25485F5T

Número de pieza

CSD25485F5T

Fabricante/Marca

Texas Instruments

Serie

FemtoFET™

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

3-XFDFN

Paquete de dispositivo del proveedor

3-PICOSTAR

Disipación de energía (máx.)

1.4W (Ta)

Tipo FET

P-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

20V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

5.3A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

35 mOhm @ 900mA, 8V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

1.3V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

3.5nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

533pF @ 10V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

1.8V, 8V

Vgs (máx.)

-12V

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