Comprar Texas Instruments TPS1101DR MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC

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TPS1101DR

MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC

Número de pieza

TPS1101DR

Fabricante/Marca

Texas Instruments

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Paquete de dispositivo del proveedor

8-SOIC

Disipación de energía (máx.)

791mW (Ta)

Tipo FET

P-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

15V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

2.3A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

90 mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

1.5V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

11.25nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

2.7V, 10V

Vgs (máx.)

+2V, -15V

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