Triode/MOS tube/transistor/module
Número de pieza
VBsemi (Wei Bi)
Fabricantes
P+P channel, -30V, -7.3A, 29mΩ@-10V
Descripción
59560 PCS
En stock
Número de pieza
Galaxy Microelectronics
Fabricantes
HFE:200-450
Descripción
76823 PCS
En stock
Número de pieza
ST (STMicroelectronics)
Fabricantes
N-channel, 650V, 32A, 0.099Ω@10V
Descripción
62839 PCS
En stock
Número de pieza
SY (Shunye)
Fabricantes
Transistor type: PNP Collector-emitter breakdown voltage (Vceo): 25V Collector current (Ic): 500mA Power (Pd): 300mW DC current gain (hFE@Ic,Vce): 120@50mA,1V
Descripción
86292 PCS
En stock
Número de pieza
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
Fabricantes
N+N channel, VDSS withstand voltage 30V, ID current 5A, RDON on-resistance 23mR@VGS 4.5V(MAX), VGS(th) turn-on voltage 0.5-1.2V,
Descripción
65331 PCS
En stock
Número de pieza
ROHM (Rohm)
Fabricantes
PNP, Vceo=-32V, Ic=-2A, hfe=180~390
Descripción
64298 PCS
En stock
Número de pieza
AGM-Semi (core control source)
Fabricantes
Descripción
90071 PCS
En stock
Número de pieza
SILAN (Silan Micro)
Fabricantes
N-channel, 650V, 4A, 2.7Ω@10V
Descripción
54873 PCS
En stock
Número de pieza
Infineon (Infineon)
Fabricantes
P-channel, 30V, 45A, 11.1mΩ@10V
Descripción
71871 PCS
En stock
Número de pieza
Infineon (Infineon)
Fabricantes
P-channel, 30V, 45A, 11.1mΩ@10V
Descripción
82319 PCS
En stock
Número de pieza
DIODES (US and Taiwan)
Fabricantes
NPN, Vceo=140V, Ic=1A
Descripción
59014 PCS
En stock
