Triode/MOS tube/transistor/module

Número de pieza
SINO-IC (Coslight Core)
Fabricantes
N-channel, 80V
Descripción
63736 PCS
En stock
Número de pieza
CJ (Jiangsu Changdian/Changjing)
Fabricantes
NPN
Descripción
65381 PCS
En stock
Número de pieza
Leiditech (Lei Mao Electronics)
Fabricantes
Descripción
92272 PCS
En stock
Número de pieza
Infineon (Infineon)
Fabricantes
N-channel, 75V, 100A, 4.2mΩ@10V
Descripción
72192 PCS
En stock
Número de pieza
onsemi (Ansemi)
Fabricantes
Automotive Power MOSFETs for compact and efficient designs with 8x8mm flat lead encapsulation and high thermal performance. Wettable flank options available for enhanced optical detection. AEC-Q101 qualified MOSFETs and Production Part Approval Process (PPAP) compliant for automotive applications.
Descripción
71175 PCS
En stock
Número de pieza
DIODES (US and Taiwan)
Fabricantes
Descripción
70478 PCS
En stock
Número de pieza
VBsemi (Wei Bi)
Fabricantes
Descripción
89462 PCS
En stock
Número de pieza
ST (STMicroelectronics)
Fabricantes
Descripción
74665 PCS
En stock
Número de pieza
CJ (Jiangsu Changdian/Changjing)
Fabricantes
Descripción
77482 PCS
En stock
Número de pieza
Nexperia
Fabricantes
Descripción
52357 PCS
En stock
Número de pieza
Nexperia
Fabricantes
Descripción
66372 PCS
En stock
Número de pieza
Infineon (Infineon)
Fabricantes
Descripción
61656 PCS
En stock
Número de pieza
VBsemi (Wei Bi)
Fabricantes
Descripción
89987 PCS
En stock
Número de pieza
VBsemi (Wei Bi)
Fabricantes
Descripción
92087 PCS
En stock
Número de pieza
Infineon (Infineon)
Fabricantes
Descripción
72435 PCS
En stock
Número de pieza
TF (Tuofeng)
Fabricantes
Descripción
74635 PCS
En stock
Número de pieza
Jilin Huawei
Fabricantes
Descripción
99638 PCS
En stock
Número de pieza
CBI (Creation Foundation)
Fabricantes
Descripción
92795 PCS
En stock
Número de pieza
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
Fabricantes
Transistor Type: NPN Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 45V Collector Current (Ic): 500mA Power (Pd): 300mW Collector Cutoff Current (Icbo): 100nA Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat) @Ic,Ib): 700mV@500mA, 50mA DC current gain (hFE@Ic,Vce): 250@100mA, 1V Characteristic frequency (fT): 100MHz Operating temperature: +150℃@(Tj)
Descripción
99007 PCS
En stock
Número de pieza
VBsemi (Wei Bi)
Fabricantes
Descripción
76856 PCS
En stock