Triode/MOS tube/transistor/module

Número de pieza
DIODES (US and Taiwan)
Fabricantes
Descripción
55396 PCS
En stock
Número de pieza
JKSEMI (Jin Kaisheng)
Fabricantes
Descripción
95314 PCS
En stock
Número de pieza
Nexperia
Fabricantes
Descripción
82130 PCS
En stock
Número de pieza
DIODES (US and Taiwan)
Fabricantes
Descripción
91557 PCS
En stock
Número de pieza
VISHAY (Vishay)
Fabricantes
Descripción
75011 PCS
En stock
Número de pieza
Nexperia
Fabricantes
Descripción
52191 PCS
En stock
Número de pieza
DIODES (US and Taiwan)
Fabricantes
-
Descripción
63658 PCS
En stock
Número de pieza
Cmos (Guangdong Field Effect Semiconductor)
Fabricantes
MOS, TO-247, N-channel, 200V, 50A, 57mΩ (Max), 280W
Descripción
74400 PCS
En stock
Número de pieza
UTC(Youshun)
Fabricantes
Descripción
52765 PCS
En stock
Número de pieza
REASUNOS (Ruisen Semiconductor)
Fabricantes
Descripción
76413 PCS
En stock
Número de pieza
SPTECH (Shenzhen Quality Super)
Fabricantes
Descripción
52835 PCS
En stock
Número de pieza
CET (Huarui)
Fabricantes
N channel
Descripción
58385 PCS
En stock
Número de pieza
UMW (Friends Taiwan Semiconductor)
Fabricantes
Descripción
76736 PCS
En stock
Número de pieza
IXYS
Fabricantes
Descripción
95985 PCS
En stock
Número de pieza
VBsemi (Wei Bi)
Fabricantes
Descripción
67243 PCS
En stock
Número de pieza
Maximum
Fabricantes
Descripción
65890 PCS
En stock
Número de pieza
AGM-Semi (core control source)
Fabricantes
Type: P-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 40V Continuous Drain Current (Id): 50A Power (Pd): 55W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 8.9mΩ@10V,16A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 28nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 3.05nF@20V Operating temperature: -55℃~+150℃@(Tj ) DFN3*3encapsulation;
Descripción
67723 PCS
En stock
Número de pieza
onsemi (Ansemi)
Fabricantes
Descripción
71569 PCS
En stock
Número de pieza
onsemi (Ansemi)
Fabricantes
Descripción
65537 PCS
En stock
Número de pieza
BLUE ROCKET (blue arrow)
Fabricantes
Descripción
90241 PCS
En stock