Triode/MOS tube/transistor/module
Número de pieza
NCE (Wuxi New Clean Energy)
Fabricantes
Descripción
71693 PCS
En stock
Número de pieza
AGM-Semi (core control source)
Fabricantes
Field Effect Transistor (MOSFET) Type: P-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 40V Continuous Drain Current (Id): 3.3A Power (Pd): 1.4W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 70mΩ@10V, 3A Threshold voltage (Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 14nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 0.6nF@20V , Vds=40V Id= 3.3A Rds=70mΩ, working temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
Descripción
86031 PCS
En stock
Número de pieza
onsemi (Ansemi)
Fabricantes
PNP, Vceo=25V, Ic=3A
Descripción
55943 PCS
En stock
Número de pieza
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
Fabricantes
Descripción
88429 PCS
En stock
Número de pieza
AnBon (AnBon)
Fabricantes
Alternative to AS3403
Descripción
52280 PCS
En stock
Número de pieza
LONTEN (Longteng Semiconductor)
Fabricantes
Descripción
90581 PCS
En stock
Número de pieza
LONTEN (Longteng Semiconductor)
Fabricantes
Descripción
85086 PCS
En stock
Número de pieza
MOT (Renmao)
Fabricantes
Collector-base reverse breakdown voltage 40V, collector-emitter reverse breakdown voltage 25V, collector current IC500mA
Descripción
64161 PCS
En stock
Número de pieza
HT (Golden Honor)
Fabricantes
Gear: 160-400
Descripción
50498 PCS
En stock
Número de pieza
ST (STMicroelectronics)
Fabricantes
Descripción
78803 PCS
En stock
Número de pieza
TI (Texas Instruments)
Fabricantes
CSD25484F4 20V P-Channel FemtoFET™ MOSFET 3-PICOSTAR -55 to 150
Descripción
63837 PCS
En stock
Número de pieza
CJ (Jiangsu Changdian/Changjing)
Fabricantes
Descripción
83481 PCS
En stock
