Triode/MOS tube/transistor/module
Número de pieza
WPMtek (Wei Panwei)
Fabricantes
N-channel drain-source voltage (Vdss): 650V Continuous drain current (Id): 20A Power (Pd): 150W On-resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 170mΩ@10V, 5.5A Threshold voltage (Vgs (th)@Id): 2V@250uA
Descripción
66770 PCS
En stock
Número de pieza
ST (STMicroelectronics)
Fabricantes
Descripción
59121 PCS
En stock
Número de pieza
Cmos (Guangdong Field Effect Semiconductor)
Fabricantes
MOS tube, TO-220, N channel, withstand voltage: 40V, current: 60A, 10V internal resistance (Max): 14mΩ, power: 63W
Descripción
89594 PCS
En stock
Número de pieza
KEC
Fabricantes
PNP, Vceo=-50V, Ic=-150mA, hfe=120~240
Descripción
81343 PCS
En stock
Número de pieza
CJ (Jiangsu Changdian/Changjing)
Fabricantes
Descripción
99220 PCS
En stock
Número de pieza
Nexperia
Fabricantes
NPN, Vceo=50V, Ic=100mA
Descripción
56776 PCS
En stock
Número de pieza
CJ (Jiangsu Changdian/Changjing)
Fabricantes
Descripción
86065 PCS
En stock
Número de pieza
SPS (American source core)
Fabricantes
N-MOS 40V 10A SOP-8 13.8mΩ@4.5V
Descripción
61585 PCS
En stock
Número de pieza
SPTECH (Shenzhen Quality Super)
Fabricantes
Descripción
68099 PCS
En stock
Número de pieza
PJSEMI (flat crystal micro)
Fabricantes
MOS@@continuous drain current (Id) (at 25°C): 0.3A, drain-source voltage (Vdss): 60V, gate-source threshold voltage: 1.4V(Typ.)@ 250uA, drain-source on-resistance: 1.9Ω(Typ.) @Vgs=10V,2.2Ω(typ.) @Vgs=4.5V ,Maximum Power Dissipation (Ta=25°C):0.3W, Type:0.3A/60V Nch
Descripción
70139 PCS
En stock
