Triode/MOS tube/transistor/module

Número de pieza
CJ (Jiangsu Changdian/Changjing)
Fabricantes
PNP, Vceo=-80V, Ic=-1A, hfe=180~390
Descripción
72627 PCS
En stock
Número de pieza
DIODES (US and Taiwan)
Fabricantes
NPN, Vceo=40V, Ic=2A
Descripción
68811 PCS
En stock
Número de pieza
TOSHIBA (Toshiba)
Fabricantes
Descripción
64675 PCS
En stock
Número de pieza
IXYS
Fabricantes
Descripción
67093 PCS
En stock
Número de pieza
Infineon (Infineon)
Fabricantes
Descripción
60490 PCS
En stock
Número de pieza
onsemi (Ansemi)
Fabricantes
Descripción
90413 PCS
En stock
Número de pieza
onsemi (Ansemi)
Fabricantes
Descripción
94315 PCS
En stock
Número de pieza
Infineon (Infineon)
Fabricantes
Descripción
59782 PCS
En stock
Número de pieza
Infineon (Infineon)
Fabricantes
Descripción
61932 PCS
En stock
Número de pieza
Infineon (Infineon)
Fabricantes
Descripción
79454 PCS
En stock
Número de pieza
Infineon (Infineon)
Fabricantes
Descripción
74047 PCS
En stock
Número de pieza
HUAYI (Hua Yi Wei)
Fabricantes
Descripción
89016 PCS
En stock
Número de pieza
TOSHIBA (Toshiba)
Fabricantes
Descripción
76464 PCS
En stock
Número de pieza
onsemi (Ansemi)
Fabricantes
Descripción
57590 PCS
En stock
Número de pieza
AGM-Semi (core control source)
Fabricantes
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 85V Continuous Drain Current (Id): 280A Power (Pd): 378W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.85mΩ@10V,50A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.0V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 140nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 10.374nF@42V, Vds=85V Id=280A Rds=1.85mΩ, working Temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
Descripción
71405 PCS
En stock
Número de pieza
Infineon (Infineon)
Fabricantes
N-channel, 55V, 4.9A, 50mΩ@10V
Descripción
78785 PCS
En stock
Número de pieza
Infineon (Infineon)
Fabricantes
Descripción
74848 PCS
En stock
Número de pieza
VBsemi (Wei Bi)
Fabricantes
Descripción
58156 PCS
En stock
Número de pieza
SINO-IC (Coslight Core)
Fabricantes
Descripción
68776 PCS
En stock
Número de pieza
AGM-Semi (core control source)
Fabricantes
Descripción
91041 PCS
En stock