AGM-Semi (core control source)
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AGMS5N50D
N-channel 500V 5A 1.4Ω
Número de pieza
AGMS5N50D
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
AGM-Semi (core control source)
Encapsulación
TO-252
Embalaje
taping
Número de paquetes
2500
Descripción
Field Effect Transistor (MOSFET) Type: N-channel Drain-Source Voltage (Vdss): 500V Continuous Drain Current (Id): 5A Power (Pd): 24.5W On-resistance (RDS(on)@Vgs,Id: 1.4Ω @10V, 2.5A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.2@250uA Gate Charge (Qg@Vgs) 13nC@10V Input Capacitance (Ciss@Vds): 0.415nF@25V , Vds=500v Id=5A Rds =1.4Ω, working temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
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