HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
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F7
1kV 1A 500ns
Número de pieza
F7
Categoría
Diodes > Fast Recovery/Ultra Fast Recovery Diodes
Fabricante/Marca
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
Encapsulación
SOD-123F
Embalaje
taping
Número de paquetes
3000
Descripción
Diode configuration: Independent DC reverse withstand voltage (Vr): 1kV Average rectified current (Io): 1A Forward voltage drop (Vf): 1.3V@1A Reverse current (Ir): 5uA@1kV Reverse recovery time ( trr): 500ns Operating temperature: -65℃~+150℃@(Tj)
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En stock 60091 PCS
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