onsemi (Ansemi)
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FDG6303N
FDG6303N
Número de pieza
FDG6303N
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
onsemi (Ansemi)
Encapsulación
SC-70-6
Embalaje
taping
Número de paquetes
3000
Descripción
These Dual N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistors are produced using Fairchild Semiconductor's proprietary high cell density DMOS technology. This very high density process is tailored to minimize on-resistance. The device is specifically designed for low-voltage applications to replace bipolar digital transistors and small-signal MOSFETS.
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Palabras clave deFDG6303N
FDG6303N Componentes electrónicos
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