onsemi (Ansemi)
La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
FDMD86100
Dual N-Channel Gate Shielded PowerTrench MOSFETs
Número de pieza
FDMD86100
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
onsemi (Ansemi)
Encapsulación
PDFN-8(5x6)
Embalaje
taping
Número de paquetes
3000
Descripción
The encapsulation integrates two N-channel devices connected internally in a common-source configuration and uses gate shielding techniques. This greatly reduces the parasitic effect of encapsulation and optimizes the heat transfer path to the bottom common source pad. High power density is achieved in an extremely small size (5 x 6 mm).
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 59331 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deFDMD86100
FDMD86100 Componentes electrónicos
FDMD86100 Ventas
FDMD86100 Proveedor
FDMD86100 Distribuidor
FDMD86100 Tabla de datos
FDMD86100 Fotos
FDMD86100 Precio
FDMD86100 Oferta
FDMD86100 El precio más bajo
FDMD86100 Buscar
FDMD86100 Adquisitivo
FDMD86100 Chip