VBsemi (Wei Bi)
La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
FDS3672-VB
N-channel 100V 6.4A
Número de pieza
FDS3672-VB
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
VBsemi (Wei Bi)
Encapsulación
SO-8
Embalaje
taping
Número de paquetes
4000
Descripción
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 70557 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Discrete Commercial N-Channel PowerTrench MOSFET, 100V, 4.5A, 0.062 Ohms @ VGS = 10V, SO-8encapsulation
onsemi (Ansemi)
Discrete Commercial N-Channel PowerTrench MOSFET, 100V, 4.5A, 0.062 Ohms @ VGS = 10V, SO-8encapsulation
onsemi (Ansemi)
Palabras clave deFDS3672-VB
FDS3672-VB Componentes electrónicos
FDS3672-VB Ventas
FDS3672-VB Proveedor
FDS3672-VB Distribuidor
FDS3672-VB Tabla de datos
FDS3672-VB Fotos
FDS3672-VB Precio
FDS3672-VB Oferta
FDS3672-VB El precio más bajo
FDS3672-VB Buscar
FDS3672-VB Adquisitivo
FDS3672-VB Chip