HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
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HN2288
N+N channel 30V 30A
Número de pieza
HN2288
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
Encapsulación
DFN3x3-8L
Embalaje
taping
Número de paquetes
5000
Descripción
Field effect transistor (MOSFET) N+N channel, VDSS withstand voltage 30V, ID current 30A, RDON on-resistance 12mR@VGS 10V(MAX), VGS(th) turn-on voltage 1.2-2.5V,
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