VBsemi (Wei Bi)
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NTR1P02T1G-VB NTR1P02T1G-VB

NTR1P02T1G-VB

NTR1P02T1G-VB
Número de pieza
NTR1P02T1G-VB
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
VBsemi (Wei Bi)
Encapsulación
SOT-23
Embalaje
taping
Número de paquetes
3000
Descripción
P-channel, -20V, -4A, RDS(ON), 57mΩ@4.5V, 83mΩ@2.5V, 12Vgs(±V); -0.81Vth(V); SOT23
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Palabras clave deNTR1P02T1G-VB
NTR1P02T1G-VB Componentes electrónicos
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