PJSEMI (flat crystal micro)
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PJM01N20KDC
PJM01N20KDC
Número de pieza
PJM01N20KDC
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
PJSEMI (flat crystal micro)
Encapsulación
DFN-3L(1x0.6)
Embalaje
taping
Número de paquetes
10000
Descripción
MOS@@continuous drain current (Id) (at 25°C): -0.8A, drain-source voltage (Vdss): -20V, gate-source threshold voltage: 0.75V(Typ.)@ 250uA, drain-source conduction Resistance: 180mΩ(Typ.) @Vgs=4.5V, 260mΩ(typ.) @Vgs=2.5V ,Maximum Power Dissipation (Ta=25°C): 0.35W, Type: 0.8A/20V Nch
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