Runxin (Runxin Micro)
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RX65T300HS2A
Gallium Nitride GaN 650V MOSFETs
Número de pieza
RX65T300HS2A
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
Runxin (Runxin Micro)
Encapsulación
DFN8x8
Embalaje
taping
Número de paquetes
2500
Descripción
Gallium nitride GaN power device: Vds:650V Id: 9A Rds:240mΩ Qg:21.5nC Qrr:39nC
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