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IDC04S60CEX1SA1
DIODE SIC 600V 4A SAWN WAFER
Número de pieza
IDC04S60CEX1SA1
Fabricante/Marca
Serie
thinQ!™
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Bulk
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
Die
Paquete de dispositivo del proveedor
Die
Tipo de diodo
Silicon Carbide Schottky
Corriente - Promedio Rectificado (Io)
4A (DC)
Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si
1.9V @ 4A
Corriente - Fuga inversa @ Vr
50µA @ 600V
Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.)
600V
Velocidad
No Recovery Time > 500mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)
0ns
Temperatura de funcionamiento: unión
-55°C ~ 175°C
Capacitancia @ Vr, F
130pF @ 1V, 1MHz
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