Comprar Infineon Technologies IPS80R1K2P7AKMA1 MOSFET N-CH 800V 4.5A TO251-3

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IPS80R1K2P7AKMA1

MOSFET N-CH 800V 4.5A TO251-3

Número de pieza

IPS80R1K2P7AKMA1

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ P7

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-251-3 Stub Leads, IPak

Paquete de dispositivo del proveedor

PG-TO251-3

Disipación de energía (máx.)

37W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

800V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

4.5A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

1.2 Ohm @ 1.7A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

3.5V @ 80µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

300pF @ 500V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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