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IXRFSM12N100
2A 1000V MOSFET IN SMPD PACKAGE
Número de pieza
IXRFSM12N100
Fabricante/Marca
Serie
SMPD
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
16-BESOP (0.790", 20.11mm Width), 15 Leads, Exposed Pad
Paquete de dispositivo del proveedor
16-SMPD
Disipación de energía (máx.)
940W
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
1000V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
12A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
1.05 Ohm @ 6A, 15V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
5.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
77nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
2875pF @ 800V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
15V
Vgs (máx.)
±20V
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