Comprar ON Semiconductor FCI25N60N MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK

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FCI25N60N

MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK

Número de pieza

FCI25N60N

Fabricante/Marca

ON Semiconductor

Serie

SupreMOS™

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Paquete de dispositivo del proveedor

I2PAK (TO-262)

Disipación de energía (máx.)

216W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

600V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

25A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

125 mOhm @ 12.5A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

74nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3352pF @ 100V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±30V

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