ON Semiconductor
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FDB5690
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FDB5690

MOSFET N-CH 60V 32A TO-263AB
Número de pieza
FDB5690
Fabricante/Marca
ON Semiconductor
Serie
PowerTrench®
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-65°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-263AB
Disipación de energía (máx.)
58W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
60V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
32A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
27 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
33nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1120pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
6V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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