Comprar ON Semiconductor FDI3632 MOSFET N-CH 100V 80A TO-262AB

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FDI3632

MOSFET N-CH 100V 80A TO-262AB

Número de pieza

FDI3632

Fabricante/Marca

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Paquete de dispositivo del proveedor

I2PAK (TO-262)

Disipación de energía (máx.)

310W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

100V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

12A (Ta), 80A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

9 mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

6000pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

6V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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