ON Semiconductor
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FQA8N100C
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FQA8N100C

MOSFET N-CH 1000V 8A TO-3P
Número de pieza
FQA8N100C
Fabricante/Marca
ON Semiconductor
Serie
QFET®
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-3P-3, SC-65-3
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-3PN
Disipación de energía (máx.)
225W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
1000V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
8A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
1.45 Ohm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
70nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
3220pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
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