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FQN1N50CBU
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FQN1N50CBU

MOSFET N-CH 500V 380MA TO-92
Número de pieza
FQN1N50CBU
Fabricante/Marca
ON Semiconductor
Serie
QFET®
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Bulk
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-92-3
Disipación de energía (máx.)
890mW (Ta), 2.08W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
500V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
380mA (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
6 Ohm @ 190mA, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
6.4nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
195pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
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