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NDBA100N10BT4H

NDBA100N10BT4H

MOSFET N-CH 100V 100A DPAK
Número de pieza
NDBA100N10BT4H
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete de dispositivo del proveedor
D²PAK (TO-263)
Disipación de energía (máx.)
110W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
100V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
100A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
6.9 mOhm @ 50A, 15V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
2950pF @ 50V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V, 15V
Vgs (máx.)
±20V
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