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NTJS3151PT2G

MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363

Número de pieza

NTJS3151PT2G

Fabricante/Marca

ON Semiconductor

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Paquete de dispositivo del proveedor

SC-88/SC70-6/SOT-363

Disipación de energía (máx.)

625mW (Ta)

Tipo FET

P-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

12V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

2.7A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

60 mOhm @ 3.3A, 4.5V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

400mV @ 100µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

8.6nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

850pF @ 12V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

1.8V, 4.5V

Vgs (máx.)

±12V

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