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NTP8G206NG
MOSFET N-CH 600V 17A TO220
Número de pieza
NTP8G206NG
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Last Time Buy
embalaje
Tube
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-220-3
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-220-3
Disipación de energía (máx.)
96W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
600V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
17A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
180 mOhm @ 11A, 8V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.6V @ 500µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
9.3nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
760pF @ 480V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
8V
Vgs (máx.)
±18V
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