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NTQS6463R2

NTQS6463R2

MOSFET P-CH 20V 6.8A 8-TSSOP
Número de pieza
NTQS6463R2
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor
8-TSSOP
Disipación de energía (máx.)
930mW (Ta)
Tipo FET
P-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
6.8A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
20 mOhm @ 6.8A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
900mV @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
50nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
-
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
2.5V, 4.5V
Vgs (máx.)
±12V
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