La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
NTRV4101PT1G
MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT-23-3
Número de pieza
NTRV4101PT1G
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete de dispositivo del proveedor
SOT-23-3 (TO-236)
Disipación de energía (máx.)
420mW (Ta)
Tipo FET
P-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
1.8A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
85 mOhm @ 1.6A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1.2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
8.5nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
675pF @ 10V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
1.8V, 4.5V
Vgs (máx.)
±8V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 35205 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deNTRV4101PT1G
NTRV4101PT1G Componentes electrónicos
NTRV4101PT1G Ventas
NTRV4101PT1G Proveedor
NTRV4101PT1G Distribuidor
NTRV4101PT1G Tabla de datos
NTRV4101PT1G Fotos
NTRV4101PT1G Precio
NTRV4101PT1G Oferta
NTRV4101PT1G El precio más bajo
NTRV4101PT1G Buscar
NTRV4101PT1G Adquisitivo
NTRV4101PT1G Chip