Comprar Rohm Semiconductor R8010ANX MOSFET N-CH 800V 10A TO220

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R8010ANX

MOSFET N-CH 800V 10A TO220

Número de pieza

R8010ANX

Fabricante/Marca

Rohm Semiconductor

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Bulk

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-220-3 Full Pack

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-220FM

Disipación de energía (máx.)

40W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

800V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

10A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

560 mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

5V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

62nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1750pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±30V

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