Comprar Rohm Semiconductor RCD100N19TL MOSFET N-CH 190V 10A CPT3

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RCD100N19TL

MOSFET N-CH 190V 10A CPT3

Número de pieza

RCD100N19TL

Fabricante/Marca

Rohm Semiconductor

Serie

Estado de la pieza

Not For New Designs

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Paquete de dispositivo del proveedor

CPT3

Disipación de energía (máx.)

850mW (Ta), 20W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

190V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

10A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

182 mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.5V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

52nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2000pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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