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RCJ081N20TL
MOSFET N-CH 200V 8A LPT
Número de pieza
RCJ081N20TL
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete de dispositivo del proveedor
LPTS (SC-83)
Disipación de energía (máx.)
1.56W (Ta), 40W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
200V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
8A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
770 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
5.25V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
8.5nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
330pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
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