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RJP020N06T100
MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89
Número de pieza
RJP020N06T100
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-243AA
Paquete de dispositivo del proveedor
MPT3
Disipación de energía (máx.)
500mW (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
60V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
2A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
240 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 4V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
160pF @ 10V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
2.5V, 4.5V
Vgs (máx.)
±12V
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