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RQ3C150BCTB
MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT
Número de pieza
RQ3C150BCTB
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Cut Tape (CT)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-PowerVDFN
Paquete de dispositivo del proveedor
8-HSMT (3.2x3)
Disipación de energía (máx.)
20W (Tc)
Tipo FET
P-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
30A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
6.7 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1.2V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
60nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
4800pF @ 10V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V
Vgs (máx.)
±8V
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