Comprar Rohm Semiconductor RQ3E075ATTB MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT

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RQ3E075ATTB

MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT

Número de pieza

RQ3E075ATTB

Fabricante/Marca

Rohm Semiconductor

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-PowerVDFN

Paquete de dispositivo del proveedor

8-HSMT (3.2x3)

Disipación de energía (máx.)

15W (Tc)

Tipo FET

P-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

30V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

18A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

23 mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.5V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

10.4nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

930pF @ 15V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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