Comprar Rohm Semiconductor RQ3E150GNTB MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSMT

La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.

Ver más información Hojas de datos

RQ3E150GNTB

MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSMT

Número de pieza

RQ3E150GNTB

Fabricante/Marca

Rohm Semiconductor

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-PowerVDFN

Paquete de dispositivo del proveedor

8-HSMT (3.2x3)

Disipación de energía (máx.)

2W (Ta), 17.2W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

30V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

15A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

6.1 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.5V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

15.3nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

850pF @ 15V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

Solicitud de cotización

Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.

En stock 15620 PCS

Información del contacto

Productos relacionados

RQ3E070BNTB

MOSFET N-CH 30V 7A HSMT8