Comprar Rohm Semiconductor RT1E050RPTR MOSFET P-CH 30V 5A TSST8

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Hojas de datos

RT1E050RPTR

MOSFET P-CH 30V 5A TSST8

Número de pieza

RT1E050RPTR

Fabricante/Marca

Rohm Semiconductor

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-SMD, Flat Lead

Paquete de dispositivo del proveedor

8-TSST

Disipación de energía (máx.)

1.25W (Ta)

Tipo FET

P-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

30V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

5A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

36 mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.5V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 10V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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