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RV2C002UNT2L
MOSFET N-CH 20V 0.18A VML1006
Número de pieza
RV2C002UNT2L
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Cut Tape (CT)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
SC-101, SOT-883
Paquete de dispositivo del proveedor
DFN1006-3 (VML1006)
Disipación de energía (máx.)
100mW (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
180mA (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
2 Ohm @ 150mA, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1V @ 100µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
12pF @ 10V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
1.2V, 4.5V
Vgs (máx.)
±10V
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