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STSJ100NHS3LL

MOSFET N-CH 30V 20A PWR8SOIC

Número de pieza

STSJ100NHS3LL

Fabricante/Marca

STMicroelectronics

Serie

STripFET™ III

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

Paquete de dispositivo del proveedor

8-SOIC-EP

Disipación de energía (máx.)

3W (Ta), 70W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

30V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

100A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

4.2 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.5V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4200pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±16V

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