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STU9HN65M2

MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK

Número de pieza

STU9HN65M2

Fabricante/Marca

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™ M2

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Paquete de dispositivo del proveedor

I-PAK

Disipación de energía (máx.)

60W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

650V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

5.5A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

820 mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

11.5nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

325pF @ 100V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±25V

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