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STV160NF02LAT4

MOSFET N-CH 20V 160A POWERSO-10

Número de pieza

STV160NF02LAT4

Fabricante/Marca

STMicroelectronics

Serie

STripFET™

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

175°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

Paquete de dispositivo del proveedor

10-PowerSO

Disipación de energía (máx.)

210W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

20V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

160A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

2.7 mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

1V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

175nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

5500pF @ 15V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

5V, 10V

Vgs (máx.)

±15V

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