Triode/MOS tube/transistor/module
Número de pieza
onsemi (Ansemi)
Fabricantes
This P-channel MOSFET is a rugged gate version of the advanced PowerTrench process. It is optimized for power management applications requiring wide gate drive voltage ratings (4.5V – 20V).
Descripción
90021 PCS
En stock
Número de pieza
Infineon (Infineon)
Fabricantes
Pre-biased Two NPN 65V 100mA
Descripción
98461 PCS
En stock
Número de pieza
PJSEMI (flat crystal micro)
Fabricantes
P channel -12V -4.1A
Descripción
92937 PCS
En stock
Número de pieza
UTC(Youshun)
Fabricantes
NPN, Vceo=120V, Ic=2A, hfe=120~270
Descripción
76725 PCS
En stock
Número de pieza
KEC
Fabricantes
PNP, Vceo=-60V, IC=-600mA, PD=0.35W
Descripción
66516 PCS
En stock
Número de pieza
CJ (Jiangsu Changdian/Changjing)
Fabricantes
PNP, Vceo=-150V, Ic=-0.6A, hfe=100~150
Descripción
94406 PCS
En stock
Número de pieza
Crystal Conductor Microelectronics
Fabricantes
Descripción
77486 PCS
En stock
Número de pieza
Techcode (TED)
Fabricantes
Type N Drain-Source Voltage (Vdss) 100 Threshold Voltage (Vgs) 20 Continuous Drain Current (Id) 7.2 On-Resistance (mΩ) 13.5 Input Capacitance (Ciss) 1440 Reverse Transfer Capacitance Crss (pF) 30 Gate Charge (Qg ) 28
Descripción
86792 PCS
En stock
Número de pieza
LONTEN (Longteng Semiconductor)
Fabricantes
Descripción
77075 PCS
En stock
Número de pieza
onsemi (Ansemi)
Fabricantes
N-Channel MOSFET, Small Signal, 60V, 310mA, 2.5 Ω Trench, N-Channel, SOT23
Descripción
50469 PCS
En stock