Triode/MOS tube/transistor/module

Número de pieza
MASPOWER
Fabricantes
Drain-source voltage (Vdss): 200V continuous drain current (Id) 100A MOS tube
Descripción
94228 PCS
En stock
Número de pieza
TI (Texas Instruments)
Fabricantes
Descripción
97293 PCS
En stock
Número de pieza
VBsemi (Wei Bi)
Fabricantes
Descripción
76100 PCS
En stock
Número de pieza
YANGJIE (Yang Jie)
Fabricantes
Descripción
58763 PCS
En stock
Número de pieza
DIODES (US and Taiwan)
Fabricantes
Descripción
67899 PCS
En stock
Número de pieza
CJ (Jiangsu Changdian/Changjing)
Fabricantes
Descripción
91401 PCS
En stock
Número de pieza
UMW (Friends Taiwan Semiconductor)
Fabricantes
Descripción
76868 PCS
En stock
Número de pieza
GOFORD (valley peak)
Fabricantes
60V 68A 7.9mΩ@10V
Descripción
92456 PCS
En stock
Número de pieza
PSI (Baolixin)
Fabricantes
Descripción
59615 PCS
En stock
Número de pieza
onsemi (Ansemi)
Fabricantes
The EFC4621R is an N-channel power MOSFET, 24V, 9A, 18mΩ, dual EFCP, for Li-ion battery charge and discharge switching applications.
Descripción
99590 PCS
En stock
Número de pieza
onsemi (Ansemi)
Fabricantes
NPN
Descripción
93970 PCS
En stock
Número de pieza
GL (Optics Lei)
Fabricantes
Descripción
84482 PCS
En stock
Número de pieza
TI (Texas Instruments)
Fabricantes
CSD87333Q3D High Duty Cycle Synchronous Buck NexFET? 3x3 Power Block
Descripción
89589 PCS
En stock
Número de pieza
APM (Jonway Microelectronics)
Fabricantes
Descripción
59479 PCS
En stock
Número de pieza
CJ (Jiangsu Changdian/Changjing)
Fabricantes
Descripción
60279 PCS
En stock
Número de pieza
CJ (Jiangsu Changdian/Changjing)
Fabricantes
N-channel, 85V, 80A, 8.5mΩ@10V
Descripción
84913 PCS
En stock
Número de pieza
SILAN (Silan Micro)
Fabricantes
N-channel, 600V, 6A, 1.5Ω@10V
Descripción
83432 PCS
En stock
Número de pieza
FeiHong
Fabricantes
Descripción
80877 PCS
En stock
Número de pieza
VBsemi (Wei Bi)
Fabricantes
Descripción
93576 PCS
En stock
Número de pieza
onsemi (Ansemi)
Fabricantes
This N-channel 2.5V specified MOSFET is produced using the advanced PowerTrench process, which is specially adapted to minimize on-resistance while maintaining low gate charge for excellent switching performance. These devices feature excellent power dissipation in a very small footprint compared to larger SO-8 and TSSOP-8 encapsulations.
Descripción
73502 PCS
En stock