Triode/MOS tube/transistor/module
Número de pieza
Ruichips (Ruijun Semiconductor)
Fabricantes
Descripción
96734 PCS
En stock
Número de pieza
inventchip (Zhenxin Electronics)
Fabricantes
Silicon carbide MOS1200V50mΩ
Descripción
79705 PCS
En stock
Número de pieza
DIODES (US and Taiwan)
Fabricantes
N channel
Descripción
73335 PCS
En stock
Número de pieza
FUXINSEMI (Fuxin Senmei)
Fabricantes
Transistor Type: NPN Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 100V Collector Current (Ic): 1A Power (Pd): 250mW Collector Cutoff Current (Icbo): 100nA Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat) @Ic,Ib): 600mV@1A, 100mA DC current gain (hFE@Ic,Vce): 100@250mA, 10V Characteristic frequency (fT): 150MHz Operating temperature: +150℃@(Tj)
Descripción
94455 PCS
En stock
