Triode/MOS tube/transistor/module
Número de pieza
REASUNOS (Ruisen Semiconductor)
Fabricantes
Descripción
99620 PCS
En stock
Número de pieza
VISHAY (Vishay)
Fabricantes
N-channel, 100V, 120A, 0.0038Ω@10V
Descripción
85345 PCS
En stock
Número de pieza
Infineon (Infineon)
Fabricantes
Descripción
90471 PCS
En stock
Número de pieza
NCE (Wuxi New Clean Energy)
Fabricantes
Descripción
78281 PCS
En stock
Número de pieza
VBsemi (Wei Bi)
Fabricantes
N-channel, 150V, 25.4A, 74mΩ@10V
Descripción
58206 PCS
En stock
Número de pieza
onsemi (Ansemi)
Fabricantes
This N-channel MOSFET is produced using the advanced PowerTrench process incorporating shielded gate technology. This process is optimized to minimize on-resistance while maintaining excellent switching performance.
Descripción
53793 PCS
En stock
Número de pieza
Cmos (Guangdong Field Effect Semiconductor)
Fabricantes
MOS tube, DFN-8 5*6, P channel, withstand voltage: -30V, current: -70A, 10V internal resistance (Max): 7.5mΩ, power: 50W
Descripción
94108 PCS
En stock
Número de pieza
MASPOWER
Fabricantes
Ultra high voltage MOS tube
Descripción
60595 PCS
En stock
Número de pieza
KEC
Fabricantes
P-channel 30V 3A
Descripción
87309 PCS
En stock
Número de pieza
onsemi (Ansemi)
Fabricantes
This PNP bipolar transistor is suitable for general purpose amplifier applications. The device is housed in a SOT-223 encapsulation and is suitable for low power surface mount applications.
Descripción
56096 PCS
En stock