AGM-Semi (core control source)
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AGMH035N10H
AGMH035N10H
Número de pieza
AGMH035N10H
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
AGM-Semi (core control source)
Encapsulación
TO-263
Embalaje
taping
Número de paquetes
800
Descripción
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 100V Continuous Drain Current (Id): 160A Power (Pd): 91W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id: 3.5mΩ@10V, 20A Threshold Voltage ( Vgs(th)@Id): 3.0@250uA Gate charge (Qg@Vgs) 66nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 3.7nF@50V, Vds=100v Id=160A Rds=3.5mΩ, operating temperature: - 55℃~+150℃@(Tj)
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